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在20nm及以下(xia)工藝、450mm晶(jing)圓、TSV 3D芯片等先進技術開發(fa)(fa)中，英特爾(er)、臺積電(dian)和(he)三星電(dian)子讓全球(qiu)集成電(dian)路產(chan)業(ye)的調整和(he)變(bian)革(ge)正在悄然發(fa)(fa)生，揭開了產(chan)業(ye)鏈(lian)大融合的新動向，引人關注。在2012年，投(tou)資參股全球(qiu)最大的光刻機設備廠商ASML，共同研發(fa)(fa)450mm晶(jing)圓制造設備和(he)工藝，布(bu)局開發(fa)(fa)以往只有封(feng)測企(qi)業(ye)關注的TSV 3D芯片技術。 事實上，早在國際半導(dao)體技術(shu)(shu)路(lu)線圖(ITRS)2005年(nian)(nian)版(ban)本(ben)“摩爾定(ding)律(lv)及其(qi)他”的(de)圖示和敘述中就提出了半導(dao)體技術(shu)(shu)的(de)三(san)個(ge)技術(shu)(shu)發(fa)展方(fang)向，即延續(xu)摩爾定(ding)律(lv)：微型化（More Moore：Minimization）、摩爾定(ding)律(lv)以外的(de)發(fa)展：多樣化（More than Moore：Diversification）和超越CMOS器(qi)件（Beyond CMOS）。2007年(nian)(nian)版(ban)本(ben)進(jin)(jin)一步(bu)指(zhi)出：預計“摩爾定(ding)律(lv)以外的(de)發(fa)展”的(de)相(xiang)對比重將隨時(shi)間而越來越大，并導(dao)致(zhi)科學技術(shu)(shu)的(de)多元化發(fa)展。ITRS自1999年(nian)(nian)起每(mei)逢單(dan)年(nian)(nian)進(jin)(jin)行修(xiu)訂(ding)，雙年(nian)(nian)則僅對部分表格中的(de)數字進(jin)(jin)行更新(xin)(xin)。修(xiu)訂(ding)的(de)新(xin)(xin)內(nei)容反映了前兩年(nian)(nian)的(de)研發(fa)工作進(jin)(jin)展，同(tong)時(shi)提示產(chan)業界人士(shi)面(mian)對新(xin)(xin)的(de)強大挑(tiao)戰要(yao)具(ju)有清醒(xing)的(de)頭腦(nao)。所(suo)以，產(chan)業人士(shi)稱集成(cheng)電路(lu)技術(shu)(shu)與產(chan)業已進(jin)(jin)入后摩爾時(shi)代(dai)。 按照摩爾定律，IC芯(xin)片制造工藝將從現已投(tou)入(ru)量產的28nm技術(shu)繼續向前延(yan)伸(shen)至22nm、16nm、13nm、10nm，直到7nm附近，逼近CMOS器(qi)件(jian)(jian)的物理極限。2011年(nian)英特爾推出tri-gate FinFET技術(shu)，以解決22nm器(qi)件(jian)(jian)的高(gao)漏(lou)電(dian)(dian)問(wen)題(ti)，已進入(ru)量產階(jie)段。臺積電(dian)(dian)也隨后跟進采用tri-gate FinFET技術(shu)。 在“延(yan)續摩爾(er)(er)定(ding)律(lv)”方向另一(yi)件(jian)值得關注的(de)(de)大事是，2008年英特爾(er)(er)、三星和(he)臺(tai)積電(dian)三大公(gong)司決定(ding)聯(lian)手(shou)啟動450mm晶(jing)圓線的(de)(de)開發。雖然進度一(yi)再推遲(chi)，但(dan)有消息稱(cheng)英特爾(er)(er)和(he)臺(tai)積電(dian)已(yi)經開始試生(sheng)產(chan)(chan)450mm晶圓，預計450mm大(da)規模生(sheng)產(chan)(chan)線(xian)將于(yu)2017年投產(chan)(chan)，而由于(yu)450mm晶圓先(xian)進生(sheng)產(chan)(chan)工(gong)藝(yi)的(de)前期(qi)研(yan)發(fa)費用將高達百(bai)億美元以(yi)上，這將讓許多半(ban)導體(ti)公司高不(bu)可攀從而不(bu)再追趕(gan)，半(ban)導體(ti)生(sheng)態鏈(lian)將會(hui)有質(zhi)的(de)改變(bian)。 摩爾定律以外的(de)多(duo)樣化發展，包括MEMS傳(chuan)感器、高壓功率器件、射頻技(ji)術及系統級(ji)封裝(zhuang)(SiP)技(ji)術等(deng)，將以更(geng)高的(de)性價(jia)(jia)比、更(geng)廣泛的(de)應(ying)用和(he)更(geng)高附加(jia)價(jia)(jia)值的(de)系統應(ying)用為特(te)點，成為企業產品創新的(de)重(zhong)要方向(xiang)。近幾年(nian)來這一方向(xiang)上最突出的(de)進展是(shi)TSV 3D芯片技(ji)術。 與(yu)(yu)簡單(dan)的(de)芯片堆疊封裝不同(tong)，TSV技術(shu)能(neng)夠(gou)在(zai)不改變芯片制造工藝的(de)基礎(chu)上增加產品的(de)集成度，而且是(shi)以較低成本獲(huo)得(de)與(yu)(yu)摩爾(er)定律繼續縮小尺寸等效的(de)性能(neng)。因此(ci)，TSV技術(shu)得(de)到包括芯片制造業(ye)四大聯(lian)盟組織（IMEC，ITRI，Sematech，SEMI）在(zai)內(nei)的(de)幾乎所有(you)芯片企業(ye)的(de)關注和(he)大量研發(fa)投入。IBM、英(ying)特爾(er)、三星、Globalfoundries、臺(tai)積電、日(ri)月光等全球(qiu)半導體(ti)企業(ye)巨(ju)頭都參(can)與(yu)(yu)其中(zhong)，正在(zai)針對各類應用研究開發(fa)TSV。
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